SK hynix планира през следващата година да произвежда масово свръхвисока скоростна DRAM, която може да се използва за AI и супер изчисление.

Според BusinessKorea, SK hynix обяви на 12 август, че е разработил HBM2EDRAM, полупроводник с памет с висока честотна лента, който може да се използва в устройства с изкуствен интелект (AI) и суперкомпютри.

Компанията заяви, че новият й чип има най-бързата скорост в бранша. HBM2E поддържа повече от 460 GB честотна лента в секунда, базирана на 3.6Gbps скорост на изпълнение на пин и 1024 данни I / Os, което е с 50% по-високо от HBM2DRAM на компанията, разработено преди година.

В края на декември 2013 г. SK hynix разработи първия в света HBM (памет с висока честотна лента) с четири етапа на подредена DRAM.

Разбира се, че SK hynix е разработил пакет от 16GB памет чрез вертикално подреждане на осем 16Gb чипа, използвайки „през силиций чрез“; (TSV) технология. SK hynix ще започне масово производство на нови чипове през 2020 г. Новите продукти с памет се използват предимно за графични карти, суперкомпютри, AI и сървъри, които изискват висока скорост, висока производителност памет.

SK hynix планира да заеме водеща позиция на пазара за полупроводници от следващо поколение с HBM2EDRAM. Продажбите му за второто тримесечие на DRAM са били 4,26 милиарда долара, което представлява 28,7% от световния пазар.

„От пускането на първия HBMDRAM в света през 2013 г. SK hynix е доминиран от конкурентоспособността на технологиите“, заяви JeonJun-hyun, който отговаря за бизнес стратегията на HBM на компанията. „Ще започнем масово производство на HBM2E догодина и ще продължим да засилваме присъствието си. Технически предимства на пазара. "