У дома > Новини > Пробив! Kioxia разработи 170-слойни NAND продукти с флаш памет

Пробив! Kioxia разработи 170-слойни NAND продукти с флаш памет

Японският производител на чипове Kioxia разработи приблизително 170 слоя NAND флаш памет и получи тази модерна технология заедно с Micron и SK Hynix.


Nikkei Asian Review съобщава, че тази нова памет NAND е разработена съвместно с Western Digital, американски партньор, и скоростта на запис на данни е повече от два пъти по-висока от текущия продукт на Kioxia (112 слоя).

Освен това Kioxia също успешно е инсталирала повече клетки с памет на всеки слой от новия NAND, което означава, че в сравнение с паметта със същия капацитет, той може да свие чипа с повече от 30%. По-малките чипове ще позволят по-голяма гъвкавост при изграждането на смарт телефони, сървъри и други продукти.

Съобщава се, че Kioxia планира да пусне новия си NAND на продължаващата Международна конференция за твърдо състояние и се очаква да започне масово производство още през следващата година.

С възхода на 5G технологията и по-голям мащаб и по-бързо предаване на данни, Kioxia се надява да се възползва от търсенето, свързано с центрове за данни и смарт телефони. Въпреки това конкуренцията в тази област се засили. Micron и SK Hynix обявиха 176-слой NAND преди Kioxia.

За да увеличат производството на флаш памет, Kioxia и Western Digital планират да построят фабрика за 1 трилион йени (9,45 милиарда долара) в Йоккайчи, Япония тази пролет. Тяхната цел е да отворят първите производствени линии през 2022 г. Освен това Kioxia е придобила и много фабрики до фабриката на Китайками в Япония, за да може да разшири производствения капацитет според нуждите си в бъдеще.