2019 Q2 Hynix ще произведе 10nm памет от второ поколение

SK hynix наскоро разкри, че компанията ще увеличи производствения си процес от 10 нанометра от първо поколение (т.е. 1X nm) и ще започне да продава своята втора поколение технология за производство на 10 нанометра (известна още като 1Y nm) през втората половина година. Памет. Ускоряването на прехода към 10nm технология ще позволи на компанията да увеличи изхода на DRAM, като в крайна сметка ще намали разходите и ще се подготви за памет от следващо поколение.

Първите продукти, произведени с използване на SK Hynix 1Y nm производствена технология ще бъде 8Gb DDR4-3200 чип памет. Производителят твърди, че може да намали размера на чиповете на 8Gb DDR4 устройства с 20% и да намали консумацията си на енергия с 15% в сравнение с подобни устройства, произведени с помощта на технологията за производство на 1X nm. В допълнение, предстоящият чип на SK hynix 8Gb DDR4-3200 има две важни подобрения: 4-фазна схема на часовника и технология за управление на усилвателя Sense.

Въпреки че тези технологии са важни дори за DDR4 тази година, се казва, че SK hynix ще използва своя производствен процес от 1Y nm за производство на DDR5, LPDDR5 и GDDR6 DRAM. Затова Hynix трябва да модернизира своята производствена технология от 10 нанометра от второ поколение възможно най-скоро, за да се подготви за бъдещето.